[뉴스] 메모리 용량 1000배 늘리는 원리를 UNIST에서 발견, 삼성에 선 적용

삼성미래기술육성사업이 지원한 UNIST의 이준희 연구팀이 차세대 메모리 집적도를 1000배 향상시킬 수 있는 이론과 소재를 발표해, 미국시간 2일에 학술지 '사이언스'에 게재되었다.

국내 연구팀 단독으로 진행했다는 점에서 엄밀성, 독창성, 파급력을 인정받아 게재되었다고 한다.

연구팀은 '산화하프늄' 반도체소자의 산소 원자에 전압을 가하면 원자간 탄성이 사라지는 물리현상을 새롭게 발견했다.

이 현상을 적용하면 수천 개가 아닌, 산소 원자 4개로 0과 1을 구현할 수 있다.

현재 10nm에 머물러 있는 낸드플래시 등 반도체 공정을 0.5nm까지 미세화 할 수 있다고 한다.

기존 낸드플래시처럼 128층의 적층구조를 만들지 않더라도, 단일층만으로도 1㎠당 500TB를 저장할 수 있을 것으로 예측된다고 이준희 교수는 말했다.

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삼성미래기술육성사업이 지원한 UNIST 이준희 교수, 반도체 집적도 1,000배 향상 가능한 원리 제시

삼성미래기술육성사업이 지원한 UNIST(울산과학기술원) 에너지 및 화학공학부 이준희 교수 연구팀이 차세대 ...

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