[뉴스] 일본, 2nm 칩 기술 개발: 3년 안에 상용화를 목표로 개발중

https://news.mydrivers.com/1/743/743827.htm
현재 양산중인 가장 앞선 기술은 TSMC와 삼성의 5nm 공정 입니다. 3nm 공정의 양산은 내년으로 예상됩니다. 다음 2nm 공정은 새로운 소재 및 막강한 장비를 필요로 하고 제조하기가 더욱 어렵습니다. 이것은 매우 중요 합니다. 왜냐하면 그들은 언제나 자신들이 게속 해서 승리자로 남고 싶기 때문 입니다. 이 때문에 치열한 경쟁의 하나입니다. 

첨단 기술 측면에서 TSMC, 삼성,  두 업체는 게속 강세를 보이고 있으며 일본 기업은 주로 포토 레지스트, 실리콘 웨이퍼 등의 소재에서 더 큰 장점을 가지고 있지만 일본은 첨단 기술력을  포기하지 않았습니다.

일본 언론 보도에 따르면 일본 산업 기술 연구소와 중국의 대만 반도체 연구 센터 (TSRI)는 차세대 반도체를위한 새로운 트랜지스터 구조를 개발하기 위해 협력했습니다.

다른 기술과 비교 하여 이 기술은 실리콘 (Si) 및 게르마늄 (Ge)과 같은 다양한 채널 재료를 위와 아래에서 스택하고 "n 형 " 및 "p 형 " 전계 효과 트랜지스터를 " CFET " 구조를 갖고 있습니다.

보고서에 따르면 이전 트랜지스터에 비해 CFET 구조의 트랜지스터는 고성능과 작은 면적을 가지고있어 선폭이 2nm 미만인 차세대 반도체를 제조 하는데 도움이 될 것입니다.

이연구 결과는 2020년 12월 온라인에서 열린 반도체 관련 국제 컨퍼런스 'IEDM2020'에 게재 된 것으로 알려졌다. 이 신기술은 향후 3년 안에 민간 기업으로 기술 이전이 완료되어 공식적으로 상용화 될 것으로 예상됩니다 .

우리나라 또한 삼성전자를 비롯한 여러 업체와 협력을 하여 차세대 반도체를 위한 준비를 꾸준히 연구 하고 상용화를 위해서

협력 하고 있습니다.

이것은 긍정적인 지표 입니다.

아래는 중국어로 기재 된 기사 내용 입니다.

目前量产的最先进工艺是台积电、三星的5nm，明年有望量产3nm工艺，再往后的2nm工艺需要全新的技术，制造难度更高，是大国争抢的制高点之一。

在先进工艺上，目前台积电、三星及Intel等几家实力强大，日本公司主要是在光刻胶、硅片等材料有较大优势，但日本也没有放弃先进工艺上的努力。

据日本媒体报道，日本产业技术综合研究所与中国台湾半导体研究中心（TSRI）等展开合作，开发了用于新一代半导体的新型晶体管结构。

相比其他技术，该技术将硅（Si）和锗（Ge）等不同沟道材料从上下方堆叠、使“n型”和“p型”场效应晶体管靠近的名为“CFET”的结构。

报道称，与此前的晶体管相比，CFET结构的晶体管性能高、面积小，有助于制造2nm以下线宽的新一代半导体。

据悉，这一研究成果发表于2020年12月在线上举行的半导体相关国际会议“IEDM2020”。该项新技术有望在今后约3年里对民营企业进行转让，正式开始商用。